Diese Themenauswahl stellt einen groben Umriss unserer Forschung dar:

Materialforschung: Schichtherstellung und Charakterisierung

  • Epitaktische Schichten mit Si und SiGe
  • Isolatoren: Metalloxide
  • Metallische Schichten: Nitride
  • Gate Stack Engineering für MOS Technologie

 

Nanotechnologie: Selbstorganisation

  • Bor-Oberflächenphasen
  • Nanospitzen
  • C 60

 

Innovative Siliziumbauelemente: Physik und Technologie

  • Vertikale MOS Transistoren mit Nanometer-Kanallänge
  • Vertikale Tunneltransistoren
  • Vertikale Leistungstransistoren

Mikrosysteme:

  • HF-Spulen
  • Feldeffekt Gassensoren
  • Röntgendetektoren