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Visualierung von Verteilungsfunktionen




Verteilungsfunktionen für undotiertes homogenes Silizium (k_z = 0.0)


x-Elektronenverteilungsfunktion 1kV/cm
Fig. 1: Elektronenverteilungsfunktion in den x-Tälern für ein elektrisches Feld von 1kV/cm in positiver x-Richtung

y-Elektronenverteilungsfunktion 1kV/cm
Fig. 2: Elektronenverteilungsfunktion in den y-Tälern für ein elektrisches Feld von 1kV/cm in positiver x-Richtung

x-Elektronenverteilungsfunktion 10kV/cm
Fig. 3: Elektronenverteilungsfunktion in den x-Tälern für ein elektrisches Feld von 10kV/cm in positiver x-Richtung

y-Elektronenverteilungsfunktion 10kV/cm
Fig. 4: Elektronenverteilungsfunktion in den y-Tälern für ein elektrisches Feld von 10kV/cm in positiver x-Richtung

x-Elektronenverteilungsfunktion 100kV/cm
Fig. 5: Elektronenverteilungsfunktion in den x-Tälern für ein elektrisches Feld von 100kV/cm in positiver x-Richtung

y-Elektronenverteilungsfunktion 100kV/cm
Fig. 6: Elektronenverteilungsfunktion in den y-Tälern für ein elektrisches Feld von 100kV/cm in positiver x-Richtung


Verteilungsfunktionen für eine 600nm N+NN+-Struktur



Elektronenbewegung im Halbleiter
Fig. 1: Dotierkonzentration und Elektronendichte für eine Vorspannung von 0,5 Volt am rechten Seitenanschluß


Elektronenbewegung im Halbleiter
Fig. 2: Dynamisches Temperaturverhalten der Elektronen für eine Vorspannung von 0,5 Volt am rechten Seitenanschluß


Elektronenbewegung im Halbleiter
Fig. 3: Driftgeschwindigkeit der Elektronen für eine Vorspannung von 0,5 Volt am rechten Seitenanschluß


Elektronenbewegung im Halbleiter
Fig. 4: Elektrostatisches Potential für eine Vorspannung von 0,5 Volt am rechten Seitenanschluß


EDF 400nm
Fig. 5: Der rote Pfeil zeigt die Position für die die Elektronenverteilungsfunktion gedruckt wird (k_z = 0.0). Eine Vorspannung von 0,5 Volt ist am rechten Seitenanschluß angelegt. Die Farbe 'rot' korrespondiert immer mit den Maximum in dem entsprechenden Tal für eine gegebene Position.



Verteilungsfunktionen für eine 120nm N+NN+-Struktur



Elektronenbewegung im Halbleiter
Fig. 1: Dotierkonzentration und Elektronendichte für eine Vorspannung von 0,5 Volt am rechten Seitenanschluß


Elektronenbewegung im Halbleiter
Fig. 2: Dynamisches Temperaturverhalten der Elektronen für eine Vorspannung von 0,5 Volt am rechten Seitenanschluß


Elektronenbewegung im Halbleiter
Fig. 3: Driftgeschwindigkeit der Elektronen für eine Vorspannung von 0,5 Volt am rechten Seitenanschluß


Elektronenbewegung im Halbleiter
Fig. 4: Elektrostatisches Potential für eine Vorspannung von 0,5 Volt am rechten Seitenanschluß


Elektronenbewegung im Halbleiter
Fig. 5: Der rote Pfeil zeigt die Position für die die Elektronenverteilungsfunktion gedruckt wird (k_z = 0.0). Eine Vorspannung von 0,5 Volt ist am rechten Seitenanschluß angelegt. Die Farbe 'rot' korrespondiert immer mit den Maximum in dem entsprechenden Tal für eine gegebene Position.