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Schaltungsentwicklung

Es wurden an unserem Institut unter anderem folgende Schaltungen entwickelt:

  • kapazitiver Lesesignal-Verdoppler für DRAM-Leseverstärker
  • Schaltungen zur Testen von DRAMs
  • CMOS-Spannungsreduzierung
  • CMOS-Bandgap-Referenz
  • kapazitive Prozessor-Speicher-Schnittstelle
  • CMOS-VCOs für Mobilfunkfrequenzen
  • distributed CMOS-VCOs
  • CMOS-Equalizer